ヘテロバイポーラ型半導体装置とその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994172944
Publication number (International publication number)：1995106343
Application date： Jul. 25, 1994
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】ベース〜エミッタ間のリーク電流増大を防止した高周波特性の良好なHBTを提供する。【構成】支持基板と、支持基板上に形成されたコレクタ層と、コレクタ層の上に形成され、V族元素として砒素を含むベース層と、ベース層の上に形成され、V族元素としてリンを含み、ベース層よりも広いバンドギャップを有する第1エミッタ層と、第1エミッタ層の上に形成され、第1エミッタ層の表面を不動態化する機能を有する半導体からなるエミッタ保護層と、ベース層とオーミック接触するベース電極とを有するHBTであって、ベース層の上面は、第1エミッタ層とベース電極により全面が覆われており、第1エミッタ層の上面は、エミッタ保護層により全面が覆われており、第1エミッタ層のうち、ベース電極の端部近傍領域は、その全厚さが空乏化している。

Claim (excerpt)：

支持基板と、前記支持基板上に形成されたIII-V族化合物半導体からなるコレクタ層と、前記コレクタ層の上に形成され、V族元素として砒素を含むIII-V族化合物半導体からなるベース層と、前記ベース層の上に形成され、V族元素としてリンを含むIII-V族化合物半導体からなり、前記ベース層よりも広いバンドギャップを有する第1エミッタ層と、前記第1エミッタ層の上に形成され、前記第1エミッタ層の表面を不動態化する機能を有する半導体からなるエミッタ保護層と、前記ベース層とオーミック接触するベース電極とを有するヘテロバイポーラ型半導体装置であって、前記ベース層の上面は、前記第1エミッタ層により、あるいは前記第1エミッタ層と前記ベース電極とにより全面が覆われており、前記第1エミッタ層の上面は、前記エミッタ保護層により、あるいは前記エミッタ保護層と前記ベース電極により実質的に全面が覆われており、前記第1エミッタ層のうち、前記ベース電極の端部近傍領域は、その全厚さが空乏化しているヘテロバイポーラ型半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/205

FI (2)：

H01L 29/72 , H01L 29/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

特開平4-286126
ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-193129 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平4-288838

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