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J-GLOBAL ID：200903023357864327

炭化ケイ素膜の形成方法

Inventor： 三ツ井 英明 ,  長澤 弘幸 ,  山口 洋一
Applicant, Patent owner： ホーヤ株式会社
Agent (1)： 中村 静男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993264755
Publication number (International publication number)：1995118854
Application date： Oct. 22, 1993
Publication date： May. 09, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 基材面内および基板間での膜厚のばらつきが小さく、かつ膜質の均一性および膜の平坦性が更に向上した炭化ケイ素膜を得ることができる炭化ケイ素膜の形成方法を提供する。【構成】 ケイ素源ガスと炭素源ガスとを用いて、Si原子またはC原子を含有する基材S上に化学反応により炭化ケイ素を成長させることで所定膜厚の炭化ケイ素膜を形成するにあたり、水素ガスが実質的に存在しない状態下で前記ケイ素源ガスを熱分解するとともに、この熱分解により生じたケイ素化合物を前記基材S上の所定の成長面に吸着させる第1の工程と、この第1の工程で前記成長面に吸着した前記ケイ素化合物を前記炭素源ガスにより炭化して炭化ケイ素を生成させる第2の工程とを、基材Sを加熱しつつ減圧下で交互に1回以上繰り返す。

Claim (excerpt)：

ケイ素源ガスと炭素源ガスとを用いて、Si原子またはC原子を含有する基材上に化学反応により炭化ケイ素を成長させることで所定膜厚の炭化ケイ素膜を形成するにあたり、水素ガスが実質的に存在しない状態下で前記ケイ素源ガスを熱分解するとともに、この熱分解により生じたケイ素化合物を前記基材上の所定の成長面に吸着させる第1の工程と、この第1の工程で前記成長面に吸着した前記ケイ素化合物を前記炭素源ガスにより炭化して炭化ケイ素を生成させる第2の工程とを、前記基材を加熱しつつ減圧下で交互に1回以上繰り返すことを特徴とする炭化ケイ素膜の形成方法。

IPC (3)：

C23C 16/32 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/314

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 支持体付きX線マスク材料および支持体付きX線マスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-016824   Applicant：ホーヤ株式会社
• 特開昭62-203331
  
• 原子層エピタキシー装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-184091   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド