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J-GLOBAL ID：200903023428666637

短絡チャネルを有する炭化ケイ素パワー金属酸化物半導体電界効果トランジスタおよび短絡チャネルを有する炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタの製造方法

Inventor： セイ-ヒュン リュウ ,  アナント エイガーウォル ,  ムリナル カンチ ダス ,  ロリ エー.リプキン ,  ジョン ダブリュー.パルムール ,  ランバー シング
Applicant, Patent owner： クリー インコーポレイテッド
Agent (2)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002533381
Publication number (International publication number)：2004519842
Application date： Sep. 28, 2001
Publication date： Jul. 02, 2004
Summary：

炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)および炭化ケイ素MOSFETの製造方法が提供されている。炭化ケイ素MOSFETは、n型炭化ケイ素ドリフト層と、n型炭化ケイ素ドリフト層内の間隔を置いて配置されたp型炭化ケイ素領域であって、内部にn型炭化ケイ素領域を有するp型炭化ケイ素領域と、窒化酸化物層とを有する。またMOSFETは、n型炭化ケイ素領域のそれぞれからp型炭化ケイ素領域を通ってn型炭化ケイ素ドリフト層まで延びるn型短絡チャネルを有する。さらなる実施形態においては、ゼロゲートバイアスの印加時にソース領域を自己空乏するように構成された、n型炭化ケイ素領域とドリフト層との間にあって酸化物層に隣接する領域を含む、炭化ケイ素MOSFETおよび炭化ケイ素MOSFETの製造方法が提供されている。

Claim (excerpt)：

n型炭化ケイ素ドリフト層と、前記n型炭化ケイ素ドリフト層内にあり、n型炭化ケイ素領域を有する離間されたp型炭化ケイ素領域と、前記n型炭化ケイ素ドリフト層上の窒化酸化物層とを有する二重注入炭化ケイ素MOSFETと、 前記n型炭化ケイ素領域のそれぞれから前記p型炭化ケイ素領域を通って前記n型炭化ケイ素ドリフト層まで延びるn型短絡チャネルとを備えていることを特徴とする炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L29/78 ,  H01L21/336

FI (4)：

H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 電界効果トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-067520   Applicant：沖電気工業株式会社
• 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-140681   Applicant：株式会社デンソー
• 炭化珪素半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-367420   Applicant：株式会社デンソー