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J-GLOBAL ID：200903094275129070
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊藤 洋二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999140681
Publication number (International publication number)：2000200907
Application date： May. 20, 1999
Publication date： Jul. 18, 2000
Summary：
【要約】【課題】 ゲート酸化膜中又はゲート酸化膜と炭化珪素との界面におけるキャリアトラップを低減し、FET特性を安定にすると共にゲート酸化膜の信頼性を向上させる。【解決手段】 ゲート酸化膜7の下部に位置する表面チャネル層5を、窒素のドーピング濃度が1×1015cm-3以下で形成する。このように、窒素のドーピング濃度が1×1015cm-3以下で表面チャネル層5を形成すれば、ゲート酸化によってゲート酸化膜7を形成してもゲート酸化膜7中又はゲート酸化膜7と表面チャネル層5の界面に介在する窒化珪素が極めて少ない状態となる。このため、ゲート酸化膜7中又はゲート酸化膜7と炭化珪素との界面におけるキャリアトラップを低減でき、FET特性を安定にできると共にゲート酸化膜7の信頼性を向上させることができる。
Claim (excerpt)：
主表面及び主表面と反対面である裏面を有し、炭化珪素よりなるn型の半導体基板(1)と、前記半導体基板の主表面上に形成され、前記半導体基板よりも高抵抗な炭化珪素よりなるn型の半導体層(2)と、前記半導体層の表層部の所定領域に形成され、所定深さを有するp型のベース領域(3a、3b)と、前記ベース領域の表層部の所定領域に形成され、該ベース領域の深さよりも浅いn型のソース領域(4a、4b)と、前記ベース領域の表面部及び前記半導体層の表面部において、前記ソース領域と前記半導体層とを繋ぐように形成された、炭化珪素よりなるn型の表面チャネル層(5)と、前記表面チャネル層の表面に形成されたゲート絶縁膜(7)と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極(8)と、前記ベース領域及び前記ソース領域に接触するように形成されたソース電極(10)と、前記半導体基板に形成されたドレイン電極(11)とを備え、前記表面チャネル層は、窒素がドーピングされて形成されており、該窒素のドーピング濃度が1×1015cm-3以下となっていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
FI (3)：
H01L 29/78 652 E
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 652 K
Cited by examiner (6)
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絶縁ゲート型半導体装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-106589
Applicant：富士電機株式会社
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SiCの熱酸化膜の改善方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-008557
Applicant：新日本製鐵株式会社
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炭化ケイ素半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-165471
Applicant：富士電機株式会社
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Article cited by the Patent：
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