磁気抵抗効果素子、その製造方法、磁気ランダムアクセスメモリ、携帯端末装置、磁気ヘッド及び磁気再生装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001076614
Publication number (International publication number)：2002280637
Application date： Mar. 16, 2001
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】磁気的に安定でスイッチング磁場が低減された磁気抵抗効果素子とその製造方法を提供する。【解決手段】素子端部の幅を中央部分に比較して広くし、磁化容易軸に対して非対称かつ膜面垂直方向を軸としてほぼ回転対称な形状とする。磁気ドメインのS字型構造が安定し、スイッチング磁場が低減する。また、線状パターンエッチングの重ね合わせとEB描画を併用して上記構造を得る。

Claim (excerpt)：

第1の強磁性層と、この第1の強磁性層上に形成された絶縁体層と、この絶縁体層上に形成された第2の強磁性層を有し、前記絶縁体層をトンネルして前記第1の強磁性層と第2の強磁性層の間にトンネル電流が流れ,そのトンネル電流または前記第1および第2の強磁性層間に生じる電圧を検出する磁気抵抗効果素子であって,その平面形状が,中央部分の幅より端部の幅が大きいことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (9)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01L 27/105 , H01L 43/12

FI (9)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01L 43/12 , G01R 33/06 R , H01L 27/10 447

F-Term (28)：

2G017AA01 , 2G017AB07 , 2G017AD55 , 2G017AD65 , 5D034BA03 , 5D034BA08 , 5D034BA15 , 5D034DA07 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049CB02 , 5E049DB12 , 5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083GA27 , 5F083GA30 , 5F083JA39 , 5F083JA56 , 5F083PR01 , 5F083PR03 , 5F083PR04 , 5F083PR39 , 5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

3層トンネル接合における幾何学的に増大された磁気抵抗
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-537312 Applicant：マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー
磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-325746 Applicant：松下電器産業株式会社
磁気RAMセル内の内部非対称
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-026344 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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