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J-GLOBAL ID：200903061904891767
磁気メモリ素子及びこれを用いた記録再生方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
目次 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998267639
Publication number (International publication number)：2000100154
Application date： Sep. 22, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：
【要約】【課題】 非破壊の読み出しが可能で、かつ書き込み及び読み出しの際の動作電流を低減することができる磁気メモリ素子及びこれを用いた記録再生方法を得る。【解決手段】 情報の記録再生の際に磁化方向を変化させないハード磁性層1と、ハード磁性層1の一方面側に第1の非磁性層2を介して設けられ、情報の記録再生の際に磁化方向を変化させることができる第1のソフト磁性層3と、ハード磁性層1の他方面側に第2の非磁性層4を介して設けられ、情報の記録再生の際に磁化方向を変化させることができる第2のソフト磁性層5とを有する磁気抵抗効果膜6を用いることを特徴としている。
Claim (excerpt)：
基板と、該基板の上方に設けられる磁気抵抗効果膜とを備え、該磁気抵抗効果膜に情報を記録する磁気メモリ素子であって、前記磁気抵抗効果膜が、情報の記録再生の際に磁化方向を変化させないハード磁性層と、前記ハード磁性層の一方面側に第1の非磁性層を介して設けられ、情報の記録再生の際に磁化方向を変化させることができる第1のソフト磁性層と、前記ハード磁性層の他方面側に第2の非磁性層を介して設けられ、情報の記録再生の際に磁化方向を変化させることができる第2のソフト磁性層とを有することを特徴とする磁気メモリ素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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