固体撮像装置

Inventor： , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好秀和 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001381928
Publication number (International publication number)：2003188367
Application date： Dec. 14, 2001
Publication date： Jul. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】熱雑音と暗電流雑音の発生しにくく、再生画面のS/Nが劣化しにくい固体撮像装置を提供する。【解決手段】第1導電型の半導体基板の表面から離れて基板の内部に第2導電型の第1半導体領域を設ける。第1半導体領域の上方に離れて基板の表面を含む基板に第2導電型の第2半導体領域を設ける。第2半導体領域の上に絶縁膜を設け、絶縁膜の上に導電体を設ける。下面が第1半導体領域の上面と接し側面が第2半導体領域の側面と接するように、導電体との距離が絶縁膜の膜厚以上であるように、基板の表面を含むように基板に第1導電型の第3半導体領域を設ける。側面が第2半導体領域の側面と接し、導電体との距離は絶縁膜の膜厚と等しいように、基板の表面を含むように基板に第2導電型の第4半導体領域を設ける。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板と、前記基板の表面から離れて、前記基板の内部に設けられた第2導電型の第1半導体領域と、前記基板の表面を含む前記基板に設けられ、前記第1の半導体領域の上方に離れて設けられた前記第2導電型の第2半導体領域と、前記第2半導体領域の上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の上に設けられた導電体と、前記基板の前記表面を含む前記基板に設けられ、下面が前記第1半導体領域の上面と接し、側面が前記第2半導体領域の側面と接し、前記導電体との距離は前記絶縁膜の膜厚以上である前記第1導電型の第3半導体領域と、前記基板の前記表面を含む前記基板に設けられ、側面が前記第2半導体領域の側面と接し、前記導電体との距離は前記絶縁膜の膜厚と等しい前記第2導電型の第4半導体領域とを有することを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3)：

H01L 27/146 , H01L 31/10 , H04N 5/335

FI (3)：

H04N 5/335 U , H01L 27/14 A , H01L 31/10 A

F-Term (24)：

4M118AA02 , 4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118CA32 , 4M118FA06 , 4M118FA26 , 4M118GD04 , 5C024CX32 , 5C024CY47 , 5C024EX43 , 5C024GX03 , 5C024GY31 , 5F049MA02 , 5F049MB03 , 5F049NA04 , 5F049NA05 , 5F049NB05 , 5F049RA02 , 5F049SS03 , 5F049SZ20 , 5F049UA13 , 5F049UA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

固体撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-070892 Applicant：株式会社東芝
固体撮像装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-258713 Applicant：株式会社東芝
電荷転送装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-342647 Applicant：日本電気株式会社

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