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J-GLOBAL ID:200903023495759305

ウェハ研磨装置用テーブル、セラミックス構造体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 恩田 博宣 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999277118
Publication number (International publication number):2001102336
Application date: Sep. 29, 1999
Publication date: Apr. 13, 2001
Summary:
【要約】【課題】 接着界面の強度に優れるため破壊しにくく、かつ均熱性に優れたウェハ研磨装置用テーブルを提供すること。【解決手段】 このテーブル2は、ウェハ研磨装置1の一部を構成する。ウェハ保持プレート6の保持面6aに保持されている半導体ウェハ5は、テーブル2の研磨面2aに摺接される。このテーブル2は、セラミックス製基材11A,11Bを複数枚積層した状態で、各基材11A,11B同士を有機系接着層14を介して接着したものである。被接着面の表層における加工変質層L1の厚さが30μm以下に設定されている。接着界面には流体流路12が配設されている。
Claim (excerpt):
ウェハ研磨装置を構成しているウェハ保持プレートの保持面に保持されている半導体ウェハが摺接される研磨面を有するテーブルにおいて、被接着面の表層にある加工変質層の厚さが30μm以下に設定されたセラミックス基材を複数枚積層した状態で、各基材同士が有機系接着剤層を介して接着されるとともに、前記基材の接着界面に流体流路が配設されているウェハ研磨装置用テーブル。
IPC (2):
H01L 21/304 622 ,  B24B 37/04
FI (2):
H01L 21/304 622 G ,  B24B 37/04 A
F-Term (6):
3C058AA14 ,  3C058AB08 ,  3C058AC04 ,  3C058BA02 ,  3C058BA08 ,  3C058DA17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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