III族窒化物半導体の製造方法及びIII族窒化物半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000373823
Publication number (International publication number)：2002176004
Application date： Dec. 08, 2000
Publication date： Jun. 21, 2002
Summary：

【要約】【課題】イオン打ち込みによるIII族窒化物半導体の不純物活性化率の向上。【解決手段】III族窒化物半導体に例えばGe+イオンを打ち込みn型にする際、N+イオンを同時に打ち込み、表面をSiO2で被覆した上、熱アニールをする。これによりGe原子のGa原子位置への置換と、N原子の空孔発生の抑制を十分に行い、不純物Ge原子のドナーとしての活性を向上させることができる。p型のIII族窒化物半導体領域を形成するには例えばMg+イオンをN+イオンと同時に打ち込み、表面をSiO2で被覆した上、熱アニールをすれば良い。

Claim (excerpt)：

その主たる構成元素以外の元素をイオン注入したIII族窒化物半導体の製造方法において、前記主たる構成元素以外の元素に加え、窒素をイオン注入することを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/265 601 , C23C 14/48 , H01L 29/205 , H01L 29/872 , H01L 29/737 , H01L 21/331

FI (5)：

H01L 21/265 601 A , C23C 14/48 Z , H01L 29/205 , H01L 29/48 H , H01L 29/72 H

F-Term (24)：

4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029BA01 , 4K029BD01 , 4K029CA10 , 4K029EA08 , 4K029GA01 , 4K029GA03 , 4M104AA04 , 4M104BB02 , 4M104BB06 , 4M104CC03 , 4M104DD26 , 4M104DD79 , 4M104FF13 , 4M104GG03 , 5F003BJ93 , 5F003BM02 , 5F003BM03 , 5F003BP08 , 5F003BP21 , 5F003BP23 , 5F003BP31 , 5F003BP41

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

揮発性化学種を有する半導体材料中の表層欠陥を減少させる方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-325048 Applicant：エイチイー・ホールディングス・インコーポレーテッド・ディービーエー・ヒューズ・エレクトロニクス
特開平1-073615
p型GaN系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-328958 Applicant：古河電気工業株式会社

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