Pat
J-GLOBAL ID:200903023631862832
圧電共振子、フィルタ及び電子機器
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
中野 雅房
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000283724
Publication number (International publication number):2001203558
Application date: Sep. 19, 2000
Publication date: Jul. 27, 2001
Summary:
【要約】【目的】 共振周波数の温度特性が安定で、かつ共振レスポンスも大きくて共振特性が良好な圧電薄膜共振子を製作する。【解決手段】 Si基板22の上面にAlN薄膜23Aを形成し、Si基板22の中央部を開口して空洞24を設け、AlN薄膜23Aの上面にZnOからなる圧電薄膜25Zを形成する。ZnO圧電薄膜25Zの上面と下面には、励振用電極26b,26aを設ける。ZnO圧電薄膜25ZとAlN薄膜支持部27とは、弾性定数の温度係数の符号が逆であるので、互いに打ち消し合い、全体として温度係数がゼロになる。また、ZnOとAlNはいずれも圧電材料であるから、共振特性が向上する。
Claim (excerpt):
共振周波数の温度係数が正である1層もしくは複数層の圧電体層と該温度係数が負である1層もしくは複数層の圧電体層とを積層し、該積層体を、少なくとも一部を基板から浮かせるようにして該基板上に配置し、前記積層体を構成する圧電体層の少なくとも1層を挟むようにして少なくとも1組の電極を設けたことを特徴とする圧電共振子。
IPC (8):
H03H 9/17
, C23C 14/06
, C23C 14/08
, H01L 21/205
, H01L 41/09
, H01L 41/083
, H01L 41/18
, H03H 9/54
FI (9):
H03H 9/17 F
, C23C 14/06 P
, C23C 14/08 N
, H01L 21/205
, H03H 9/54 Z
, H01L 41/08 C
, H01L 41/08 U
, H01L 41/08 S
, H01L 41/18 101 Z
F-Term (28):
4K029AA06
, 4K029AA09
, 4K029BA49
, 4K029BA50
, 4K029BA58
, 4K029BB02
, 4K029BC05
, 4K029BD00
, 4K029CA05
, 4K029DC05
, 5F045AA19
, 5F045AB09
, 5F045AB22
, 5F045AB32
, 5F045AB40
, 5F045AF03
, 5F045BB11
, 5F045DA62
, 5F045HA14
, 5J108AA04
, 5J108BB01
, 5J108BB05
, 5J108BB07
, 5J108BB08
, 5J108CC04
, 5J108CC11
, 5J108EE04
, 5J108EE07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
Show all
Return to Previous Page