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J-GLOBAL ID:200903023650954438

高分子太陽電池及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 竹本 松司 ,  杉山 秀雄 ,  湯田 浩一 ,  魚住 高博 ,  手島 直彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007104258
Publication number (International publication number):2008166675
Application date: Apr. 11, 2007
Publication date: Jul. 17, 2008
Summary:
【課題】導電性高分子層の抵抗を低減させ、太陽電池の電流流通量及び太陽電池転換効率を向上させることを特徴とする、高分子太陽電池及びその製造方法の提供。【解決手段】本発明の高分子太陽電池及びその製造方法において、その電池は、基板、基板上に位置する第一電極、第一電極上に位置し導電性高分子と添加物を含む導電性高分子層、導電性高分子層上に位置する半導体層、半導体層上に位置する第二電極とにより構成される。その製造方法ステップには、第一電極を基板上に成長させ、添加物と導電性高分子を混合して混合物を形成、混合物を第一電極上に堆積し導電性高分子層を形成、半導体層を導電性高分子層上に堆積、第二電極を半導体層上で蒸着させるステップを含む。本発明は、添加物を導電性高分子中に加えることにより、導電性高分子層の抵抗値を低下させ電池効率を向上させる。【選択図】図11
Claim (excerpt):
高分子太陽電池は、 基板と、 基板上に位置する第一電極と、 第一電極上に位置し、導電性高分子と、マンニトール、ソルビトール、N-メチルピロリドン、イソプロパノール、ジメチルスルホキサイド、N,N-ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、界面活性剤により構成されるグループの内の一つもしくはグループの混合物から選択される添加物とを含む導電性高分子層と、 導電性高分子層上に位置する半導体層と、 半導体層上に位置する第二電極と、により構成されることを特徴とする高分子太陽電池。
IPC (1):
H01L 51/42
FI (1):
H01L31/04 D
F-Term (8):
5F051AA11 ,  5F051AA20 ,  5F051DA03 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA15 ,  5F051GA03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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