半導体容量素子の形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996114637
Publication number (International publication number)：1997298284
Application date： May. 09, 1996
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】下地の不純物濃度に影響されないでシリコン膜の表面に良好なHSGを形成し、このシリコン膜を容量下部電極とすることにより高い容量増加率を得る。【解決手段】半導体基板上に不純物を含んだ第1の非晶質シリコン層を堆積し、引き続き実質的に不純物を含まない第2の非晶質シリコン層を堆積しすることによりシリコン膜を形成し、熱処理を行うことによりこのシリコン膜の表面に凹凸の形状を形成する。

Claim (excerpt)：

選択的に絶縁膜を形成した半導体基板上に高濃度に不純物を含んだ第1の非晶質シリコン層を堆積し、引き続き不純物を含まないもしくは低濃度に不純物を含んだ第2の非晶質シリコン層を堆積することにより前記第1および第2の非晶質シリコン層により構成されたシリコン膜を形成する工程と、熱処理を行うことにより前記シリコン膜の表面に凹凸の形状を形成する工程を含むことを特徴とする半導体容量素子の製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 621 Z , H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

スタックト型DRAMのストレージノード電極の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-000443 Applicant：日本電気株式会社
半導体記憶装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-297701 Applicant：新日本製鐵株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-162336 Applicant：日本電気株式会社

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