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J-GLOBAL ID：200903023700742844

高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

Inventor：
西 恒寛

About 西 恒寛

, 
金生 剛

About 金生 剛


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (1)： 奥山 尚一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002210437
Publication number (International publication number)：2003113213
Application date： Jul. 19, 2002
Publication date： Apr. 18, 2003
Summary：
【要約】【課題】 極めて高い解像性と実用レベルのエッチング耐性を有し、精密な微細加工に有用なレジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパターン形成方法、更には該レジスト材料のベース樹脂として有用な高分子化合物を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)〜(3)で示される繰り返し単位から選ばれる1種以上と、下記一般式(4)で示される繰り返し単位とを含むことを特徴とする、重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物、及び該高分子化合物を含むレジスト材料を提供する。【化1】
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)〜(3)で示される繰り返し単位から選ばれる1種以上と、下記一般式(4)で示される繰り返し単位とを含むことを特徴とする、重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(上式中、R1、R3、R5、R7は水素原子又はメチル基を示す。R2、R4、R6は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R8、R9は水素原子又は水酸基を示す。R2、R4、R6の結合方向は、それぞれビシクロ[2.2.1]ヘプタン環、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン環に対してendo-側である。)
IPC (4)：
C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (4)：
C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (27)：
2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100BA03Q ,  4J100BC07P ,  4J100BC07Q ,  4J100BC08P ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100DA01 ,  4J100EA01 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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