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J-GLOBAL ID：200903023817765209

メモリ抵抗特性を制御する酸素含有量システムおよび方法

Inventor：
シェン テン スー

About シェン テン スー

, 
フェニャン ツアン

About フェニャン ツアン


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (3)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004132265
Publication number (International publication number)：2004349690
Application date： Apr. 27, 2004
Publication date： Dec. 09, 2004
Summary：
【課題】 メモリ材料の抵抗特性を制御するメモリセルおよび方法を提供すること。【解決手段】 この方法は、マンガナイトを形成するステップと、酸素雰囲気中でマンガナイトをアニーリングするステップと、アニーリングするステップに応じて、マンガナイト中の酸素含有量を制御するステップと、酸素含有量に応じて、マンガナイト間の抵抗を制御するステップとを包含する。このマンガナイトは、一般式RE1-xAExMnOyを有するペロブスカイト型マンガンスオキサイドであり、ここでREは希土類イオンであり、AEはアルカリ土類イオンであり、かつxは0.1から0.5の範囲にある。マンガナイト中の酸素含有量を制御するステップは、酸素の豊富なRE1-xAExMnOy領域であって、yは3より大きい、領域を形成するステップを含む。結果として、低抵抗は、酸素の豊富なマンガナイト領域を生じる。yが3より小さい場合、高抵抗が形成される。【選択図】 図10
Claim (excerpt)：
メモリ材料の抵抗特性を制御する方法であって、該方法は、 マンガナイトを形成するステップと、 酸素雰囲気中で該マンガナイトをアニーリングするステップと、 該アニーリングするステップに応じて、該マンガナイト中の酸素含有量を制御するステップと を包含する、方法。
IPC (2)：
H01L27/10 ,  H01L49/00
FI (2)：
H01L27/10 451 ,  H01L49/00 Z
F-Term (11)：
5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA21 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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