電界効果トランジスタ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：小林久夫 , 安島清 , 佐々木宗治 , 大村昇 , 高梨範夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007120617
Publication number (International publication number)：2008277604
Application date： May. 01, 2007
Publication date： Nov. 13, 2008
Summary：

【課題】高周波利得特性を向上させることができる電界効果トランジスタを得る。【解決手段】基板10上に形成された能動層と、能動層上に離間して形成されたソース電極1及びドレイン電極3と、ソース電極1とドレイン電極3との間に形成されたゲート電極2と、能動層上に形成された第1層間膜21と、ゲート電極2と接続され、ゲート電極2とドレイン電極3との間の領域の、第1層間膜21上に配設された第1FP電極5と、第1層間膜21上に形成された第2層間膜22と、ソース電極1と接続され、第1FP電極6とドレイン電極3との間の領域の、第2層間膜22上に配設された第2FP電極6とを備えたものである。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された能動層と、前記能動層上に離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成されたゲート電極と、前記能動層上に形成された第1層間絶縁膜と、前記ゲート電極と接続され、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の領域の、前記第1層間絶縁膜上に配設された第1のフィールドプレート電極と、前記第1層間絶縁膜上に形成された第2層間絶縁膜と、前記ソース電極と接続され、前記第1のフィールドプレート電極と前記ドレイン電極との間の領域の、前記第2層間絶縁膜上に配設された第2のフィールドプレート電極とを備えたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (8)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/06 , H01L 29/78 , H01L 21/28 , H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (9)：

H01L29/80 H , H01L29/06 301F , H01L29/80 F , H01L29/78 301B , H01L29/78 301W , H01L21/28 301B , H01L29/48 F , H01L29/48 D , H01L29/80 L

F-Term (54)：

4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104AA07 , 4M104BB05 , 4M104BB15 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD17 , 4M104EE05 , 4M104EE17 , 4M104FF10 , 4M104FF11 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104GG12 , 4M104HH20 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GQ01 , 5F102GS01 , 5F102GS03 , 5F102GS04 , 5F102GT03 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F140AA01 , 5F140AA11 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA09 , 5F140BC11 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BF42 , 5F140BH30 , 5F140BJ25 , 5F140CA02 , 5F140CA03 , 5F140CA06 , 5F140CC01 , 5F140CC08 , 5F140CD09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-000842 Applicant：日本電気株式会社
電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-364405 Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (1)

電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-000629 Applicant：NECエレクトロニクス株式会社

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