電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：速水進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006000629
Publication number (International publication number)：2006253654
Application date： Jan. 05, 2006
Publication date： Sep. 21, 2006
Summary：

【課題】耐圧BVdssが確保され、さらにセット電流の経時的な変化が抑制されるとともに、増幅素子のオン抵抗が小さい電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】本発明に係る電界効果トランジスタは、半導体基板2上に離間して形成されたソース電極30およびドレイン電極29と、ソース電極30とドレイン電極29との間に配置されたゲート電極22と、を備え、ゲート電極22とドレイン電極29との間の領域において、半導体基板2の上部に絶縁膜21を介してフィールドプレート電極(24,26)が設けられ、半導体基板2の表面は平坦であり、半導体基板2とフィールドプレート電極(24,26)との距離が、ゲート電極22からドレイン電極29に向かうに従って増大するように構成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上に離間して形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されたゲート電極と、を備え、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の領域において、前記半導体基板の上部に絶縁膜を介してフィールドプレート電極が設けられ、前記半導体基板の表面は平坦であり、前記半導体基板と前記フィールドプレート電極との距離が、前記ゲート電極から前記ドレイン電極に向かうに従って増大するように構成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 29/06

FI (3)：

H01L29/78 301W , H01L29/78 301D , H01L29/06 301F

F-Term (22)：

5F140AA01 , 5F140AA23 , 5F140AA25 , 5F140AA30 , 5F140AC09 , 5F140AC21 , 5F140BA01 , 5F140BA16 , 5F140BC12 , 5F140BH15 , 5F140BH17 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BH47 , 5F140BJ01 , 5F140BJ27 , 5F140CA06 , 5F140CC00 , 5F140CC01 , 5F140CC08 , 5F140CC11 , 5F140CD09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-141284 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-222346 Applicant：株式会社ルネサステクノロジ
二重フィールド板構造を有する電力素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-340595 Applicant：韓國電子通信研究院

Cited by examiner (5)

MIS型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-197644 Applicant：富士電機デバイステクノロジー株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-159175 Applicant：富士電機株式会社
特開昭58-016572

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