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J-GLOBAL ID:200903004004928513

電界効果トランジスタ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 速水 進治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003000842
Publication number (International publication number):2004214471
Application date: Jan. 07, 2003
Publication date: Jul. 29, 2004
Summary:
【課題】コラプスおよびゲート耐圧のバランスに優れたトランジスタを提供する。【解決手段】ゲート電極2およびドレイン電極3の間に、電界制御電極5を形成する。電界制御電極5の下に、SiN膜21およびSiO2膜22からなる積層膜を形成する。SiN膜21はAlGaN電子供給層13の表面を覆うように形成する。【選択図】 図1
Claim 1:
ヘテロ接合を含むIII族窒化物半導体層構造と、 該半導体層構造上に離間して形成されたソース電極およびドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に配置されたゲート電極と、 を備え、 前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の領域において、前記III族窒化物半導体層構造の上部に絶縁膜を介して電界制御電極が形成され、 前記絶縁膜が、シリコンおよび窒素を構成元素として含む第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜よりも低い比誘電率を有する第二の絶縁膜とを含む積層膜であることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (4):
H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812
FI (2):
H01L29/80 H ,  H01L29/80 W
F-Term (23):
5F102FA01 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21
Patent cited by the Patent:
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Cited by examiner (11)
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