電界効果トランジスタ

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：速水進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003000842
Publication number (International publication number)：2004214471
Application date： Jan. 07, 2003
Publication date： Jul. 29, 2004
Summary：

【課題】コラプスおよびゲート耐圧のバランスに優れたトランジスタを提供する。【解決手段】ゲート電極2およびドレイン電極3の間に、電界制御電極5を形成する。電界制御電極5の下に、SiN膜21およびSiO2膜22からなる積層膜を形成する。SiN膜21はAlGaN電子供給層13の表面を覆うように形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ヘテロ接合を含むIII族窒化物半導体層構造と、該半導体層構造上に離間して形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に配置されたゲート電極と、を備え、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の領域において、前記III族窒化物半導体層構造の上部に絶縁膜を介して電界制御電極が形成され、前記絶縁膜が、シリコンおよび窒素を構成元素として含む第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜よりも低い比誘電率を有する第二の絶縁膜とを含む積層膜であることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4)：

H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/80 , H01L29/812

FI (2)：

H01L29/80 H , H01L29/80 W

F-Term (23)：

5F102FA01 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GC05 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GR12 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GV05 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC15 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-146563 Applicant：ソニー株式会社
電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-168602 Applicant：日本電気株式会社
接合型電界効果トランジスタ及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-126697 Applicant：ソニー株式会社

特開平2-072667

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-375368 Applicant：株式会社リコー

半導体装置および半導体装置製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-163718 Applicant：日本電気株式会社

電界効果型化合物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-164908 Applicant：富士通株式会社

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-177503 Applicant：株式会社デンソー, 新技術事業団

高周波半導体装置,及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-215842 Applicant：三菱電機株式会社

電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-087761 Applicant：日本電気株式会社

電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-091495 Applicant：日本電気株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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