光電変換素子およびその製造方法ならびに電子装置およびその製造方法ならびに半導体層およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：杉浦正知 , 森幸一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003021410
Publication number (International publication number)：2004234988
Application date： Jan. 30, 2003
Publication date： Aug. 19, 2004
Summary：

【課題】半導体微粒子からなる半導体層中の残留有機物が極めて少なく、しかも半導体層の結晶粒径が小さく、比表面積が大きく、光触媒活性が高い結晶構造を有し、光電変換効率が高い光電変換素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】酸化チタン微粒子などの半導体微粒子と高分子化合物からなるバインダーとを混合したペーストを透明導電性基板1上に塗布し、焼成を行うことにより半導体微粒子からなる半導体層2を形成した後、半導体層2に紫外光を照射し、半導体微粒子の光触媒作用を利用することによって半導体層2中に残存する有機物を除去する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体微粒子と高分子化合物からなるバインダーとを混合したペーストを透明導電性基板上に塗布し、焼成を行うことにより上記半導体微粒子からなる半導体層を形成するようにした光電変換素子の製造方法において、上記半導体層を形成した後、上記半導体層に紫外光を照射し、上記半導体微粒子の光触媒作用を利用することによって上記半導体層中に残存する有機物を除去するようにしたことを特徴とする光電変換素子の製造方法。

IPC (4)：

H01M14/00 , B01J21/06 , B01J35/02 , H01L31/04

FI (4)：

H01M14/00 P , B01J21/06 M , B01J35/02 J , H01L31/04 Z

F-Term (31)：

4G069AA02 , 4G069AA08 , 4G069BA04A , 4G069BA04B , 4G069BA48A , 4G069BB04A , 4G069BB04B , 4G069BC12A , 4G069BC35A , 4G069BC50A , 4G069BC50B , 4G069CD04 , 4G069DA05 , 4G069EA01Y , 4G069FA03 , 4G069FB61 , 5F051AA14 , 5F051CB30 , 5F051HA20 , 5H032AA06 , 5H032AS06 , 5H032AS16 , 5H032BB02 , 5H032BB05 , 5H032BB06 , 5H032EE02 , 5H032EE04 , 5H032EE07 , 5H032EE12 , 5H032EE18 , 5H032HH01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

光電変換素子および光電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-177211 Applicant：富士写真フイルム株式会社
色素増感型太陽電池用光電極の製造方法及び色素増感型太陽電池の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-085338 Applicant：株式会社豊田中央研究所, アイシン精機株式会社
増感剤として有用な白金錯体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-064059 Applicant：経済産業省産業技術総合研究所長

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