受光素子および回路内蔵型受光装置および光ディスク装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001394221
Publication number (International publication number)：2003197949
Application date： Dec. 26, 2001
Publication date： Jul. 11, 2003
Summary：

【要約】【課題】高速化と高感度化の両立ができる受光素子を提供すること。【解決手段】 P型シリコン基板100上に、P型拡散層101と、P型半導体層102と、受光部となるN型拡散層103と、光透過性膜104とを備える。N型拡散層103は、400nm波長の入射光の吸収長よりも大きい0.8μm〜1.0μm程度の厚みを有すると共に、不純物濃度が表面において1E19cm-3以下であって、この表面近傍の不純物濃度がピークである濃度プロファイルを有する。入射光により発生したキャリアのN型拡散層103の表面付近での再結合が防止されて受光素子の感度が向上すると共に、接合深さが深くて低抵抗のN型拡散層103によって応答速度が向上する。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体層上に、第2導電型の半導体層を有する受光素子において、上記第2導電型の半導体層の厚みは、この第2導電型の半導体層に入射する光の吸収長よりも大きく、かつ、上記第2導電型の半導体層は、表面近傍の不純物濃度が、1E17cm-3以上1E19cm-3以下であることを特徴とする受光素子。

IPC (3)：

H01L 31/10 , G11B 7/13 , H01L 27/14

FI (3)：

G11B 7/13 , H01L 31/10 A , H01L 27/14 Z

F-Term (39)：

4M118AB02 , 4M118AB10 , 4M118BA06 , 4M118CA03 , 4M118CA18 , 5D119AA09 , 5D119AA10 , 5D119BA01 , 5D119BB01 , 5D119DA05 , 5D119EA02 , 5D119EA03 , 5D119FA05 , 5D119KA02 , 5D119KA13 , 5D119KA20 , 5D119KA43 , 5D789AA09 , 5D789AA10 , 5D789BA01 , 5D789BB01 , 5D789DA05 , 5D789EA02 , 5D789EA03 , 5D789FA05 , 5D789KA02 , 5D789KA13 , 5D789KA20 , 5D789KA43 , 5F049MA02 , 5F049MB02 , 5F049MB12 , 5F049NA01 , 5F049NA03 , 5F049NB08 , 5F049PA15 , 5F049QA03 , 5F049SS03 , 5F049WA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

受光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-109765 Applicant：シャープ株式会社
受光素子および回路内蔵型受光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-252332 Applicant：シャープ株式会社
特開昭60-110177

Show all

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

"High quantum efficiency p+-π-n--n+ silicon photodiode"
"Shallow-Junction Formation on Silicon by Rapid Thermal Diffusion of Impurities from a Spin-on Sourc

Return to Previous Page