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J-GLOBAL ID:200903024010733512

研磨方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998151517
Publication number (International publication number):1999345789
Application date: Jun. 01, 1998
Publication date: Dec. 14, 1999
Summary:
【要約】【課題】 CMP技術による半導体装置の埋込配線形成工程などにおいて、Al-Cu膜上にコロージョンを発生させることなく研磨できるようにする。【解決手段】 AlおよびCuとのキレート化合物を作りうるキレート剤、もしくはAlおよびCu上に吸着しうる化学物質を研磨液に加えることにより、研磨中におけるAlとCuの電池効果を抑制し、研磨中におけるAlの溶出を抑制するようにした。
Claim (excerpt):
少なくとも2種類の物質からなる合金膜を有する基板を研磨定盤の研磨布に押圧させ、研磨粒子を含む研磨液を前記合金膜と前記研磨布との間に供給しながら前記合金膜を研磨し、前記研磨液に、前記2種類の物質間に生じる電池効果を抑制するための化学物質を添加することを特徴とする研磨方法。
IPC (2):
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304
FI (2):
H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 X
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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