半導体及び半導体基板表面の絶縁膜の形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：池内寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998011306
Publication number (International publication number)：1999214386
Application date： Jan. 23, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体基板1表面に絶縁膜6と金属薄膜7を少なくとも含む半導体であって、前記金属薄膜は厚さ0.5〜30nmの範囲の酸化触媒又は酸窒化触媒作用を有する金属であり、前記絶縁膜は前記金属によって形成された膜を含む厚さ1〜20nmの範囲の膜とすることにより、高温加熱を用いずに半導体基板表面に高品質の絶縁膜を制御性よく形成するとともに、金属配線以後にゲート絶縁膜を形成できる半導体を提供する。【解決手段】半導体基板1上に厚さ0.1〜2.5nmの範囲の第1絶縁膜5を形成し、次いで第1絶縁膜5上に酸化又は酸窒化触媒作用を有する金属薄膜(例えば白金膜)6を蒸着法により厚さ0.5〜30nmの範囲で形成し、しかる後半導体基板に金属薄膜に対して0.1〜5Vの範囲のバイアス電圧を印加した状態で25〜600°Cの温度でかつ酸化又は酸窒化雰囲気中で熱処理を行って第2絶縁膜7を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板表面に絶縁膜と金属薄膜とをこの順番に含む半導体であって、前記金属薄膜は厚さ0.5〜30nmの範囲の酸化又は窒化触媒作用を有する金属であり、前記絶縁膜は前記金属薄膜と前記半導体基板との間にバイアス電圧を印加した状態で前記半導体基板を加熱することにより、前記金属薄膜と前記半導体基板との間に前記酸化又は窒化触媒作用を有する金属によって形成された膜を含む厚さ1〜20nmの範囲の膜であることを特徴とする半導体。

IPC (2)：

H01L 21/316 , H01L 29/78

FI (2)：

H01L 21/316 S , H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体及び半導体基板表面の酸化膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-196726 Applicant：松下電子工業株式会社
半導体及び半導体基板表面の酸化膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-199232 Applicant：松下電子工業株式会社, 小林光
シリコン基板表面の酸化法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-036294 Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (3)

半導体及び半導体基板表面の酸化膜の形成方法
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