結晶欠陥計測方法及び結晶欠陥計測装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平木祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998026134
Publication number (International publication number)：1999223607
Application date： Feb. 06, 1998
Publication date： Aug. 17, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】試料の厚さむらや試料移動ステージの精度上の問題によって試料表面が上下動したとしても常に一定の精度で試料の内部欠陥の測定を行う。【解決手段】移動する試料15の表面に照射光学系4,8から試料に対する侵入深さが異なる2波長の光ビームを斜方入射させ、試料の内部から発生する2波長の散乱光を試料表面の上方に配置された検出光学系9で検出して試料の内部欠陥を計測する。照射光学系及び検出光学系よりも試料の移動方向上流側に静電容量式の距離測定手段14を配置し、試料表面の高さを計測する。距離測定手段によって高さ測定された試料上の測定点が検出光学系9の下方に到達したとき、照射光学系及び検出光学系が測定点に対して予め定められた配置となるように圧電素子11,12,13により照射光学系及び検出光学系の高さ位置を制御する。

Claim (excerpt)：

移動する試料の表面に照射光学系から試料に対する侵入深さが異なる2波長の光ビームを斜方入射させ、試料の内部から発生する前記2波長の散乱光を前記試料表面の上方に配置された検出光学系で検出して試料の内部欠陥を計測する結晶欠陥計測方法において、前記照射光学系及び検出光学系よりも試料の移動方向上流側に配置した静電容量式の距離測定手段によって試料表面の高さを計測するステップと、前記距離測定手段によって高さ測定された試料上の測定点が前記検出光学系の下方に到達したとき、前記照射光学系及び検出光学系が前記測定点に対して予め定められた配置となるように前記試料に対する前記照射光学系及び検出光学系の高さ位置を制御するステップとを含むことを特徴とする結晶欠陥計測方法。

IPC (4)：

G01N 21/88 , G01N 21/25 , G01N 21/47 , H01L 21/66

FI (5)：

G01N 21/88 E , G01N 21/25 , G01N 21/47 Z , H01L 21/66 N , H01L 21/66 J

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

欠陥検査装置及び光学走査装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-172550 Applicant：コニカ株式会社
特開昭62-069149
プローブ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-216650 Applicant：東京エレクトロン株式会社

Cited by examiner (1)

欠陥検査装置及び光学走査装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-172550 Applicant：コニカ株式会社

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