半導体記憶装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998130172
Publication number (International publication number)：1999330411
Application date： May. 13, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】リークが小さく,かつ電荷保持能力の高い記憶容量膜を備えた半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】化学量論的組成比を有するBST膜からなる高誘電率層3と、上部電極15との間に、Ti組成比が化学量論的組成から外れたBST膜からなる低リーク層5を介在させ、高誘電率層3及び低リーク層5により記憶容量膜1を構成する。Ti組成比が化学量論的組成から外れたBST膜は、リーク電流量を抑制する機能が高く、かつ、化学量論的組成を有するBST膜に比べて比誘電率の低下が小さい。したがって、コンデンサの直列構造となる記憶容量膜全体の比誘電率の低下を極めて小さく抑制しながら、リーク電流の抑制を図ることができ、半導体記憶装置の微細化を進めることができる。

Claim (excerpt)：

下部電極と、該下部電極の上に設けられ情報を記憶することが可能な誘電体材料からなる記憶容量膜と、該記憶容量膜の上に設けられた上部電極とを含むセルを備えた半導体記憶装置であって、該記憶容量膜は、少なくとも2つの金属元素を含む酸化物により構成され、高誘電体または強誘電体からなる第1の誘電体層と、上記第1の誘電体層の上方及び下方のうち少なくともいずれか一方に設けられ、少なくとも2つの金属元素を含む酸化物によって構成されて、上記第1の誘電体層に比してリーク電流が小さい特性を有する第2の誘電体層とを備えていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/10 451

FI (3)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

誘電体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-174116 Applicant：セイコーエプソン株式会社
誘電体薄膜素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-108628 Applicant：シャープ株式会社
高誘電率薄膜構造、高誘電率薄膜形成方法および高誘電率薄膜形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-025245 Applicant：三菱電機株式会社

Return to Previous Page