高誘電率薄膜構造、高誘電率薄膜形成方法および高誘電率薄膜形成装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮田金雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996025245
Publication number (International publication number)：1997219497
Application date： Feb. 13, 1996
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体メモリのキャパシタの誘電体薄膜として誘電率が高く且つ漏れ電流の少ない特性をもつ(Ba,Sr)TiO3 膜を得ること。【解決手段】 Ba,Sr,TiのDPM(ジピバロイルメタナート)化合物をTHF(テトラヒドロフラン)に溶解させたBa(DPM)2 /THF,Sr(DPM)2 /THF,TiO(DPM)2 /THF溶液を原料溶液とし、Ba原料流量およびSr原料流量の和に対するTi原料流量の相対的割合を成膜中に増加させつつCVD法により(Ba,Sr)TiO3 膜を形成する。膜形成を多段階に行い、各段階において膜堆積後にアニール処理する。

Claim (excerpt)：

Ba原料、Sr原料、Ti原料としてBaのジピバロイルメタンDPM化合物、SrのジピバロイルメタンDPM化合物、TiのジピバロイルメタンDPM化合物を夫々有機溶剤に溶かした溶液を用いてCVDによりチタン酸バリウムストロンチウム(Ba,Sr)TiO3 膜を形成する方法において、Ba原料流量およびSr原料流量の和に対するTi原料流量の相対的割合を成膜中に増加させることを特徴とする高誘電率薄膜形成方法。

IPC (6)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , C23C 16/40 , H01L 21/316 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (5)：

H01L 27/10 651 , C23C 16/40 , H01L 21/316 X , H01L 21/316 P , H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

半導体記憶装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-195829 Applicant：株式会社日立製作所
金属複合酸化物薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-133047 Applicant：日本電気株式会社
CVD法による酸化物系誘電体薄膜の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-289780 Applicant：三菱電機株式会社

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