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J-GLOBAL ID：200903024156485731

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 伊藤 裕康 ,  加藤 政利 ,  荒川 隆史
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 佐藤 強
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000159685
Publication number (International publication number)：2001339063
Application date： May. 30, 2000
Publication date： Dec. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】 トレンチゲート型のFETやIGBTでチャネル部の不純物濃度分布を改善してしきい値のばらつきを解消し、電流集中による破壊を防止し、カットオフ特性の劣化も防止する。【解決手段】 n型の半導体基板22に対して、p型の島状のベース領域23を、高加速イオン注入を2回行って((a)〜(c))熱処理をすることで、チャネル部の不純物濃度が深さ方向に対してなだらかな変化の分布となるように形成する。これにより、しきい値のばらつきを少なくし、Pinch 抵抗を低減し、さらにサブショルド係数およびコンダクタンス特性を改善することができる。

Claim (excerpt)：

表面が第1導電型の半導体基板と、この半導体基板の表面に第2導電型不純物を複数回のイオン注入により導入して深さ方向に対する濃度分布が平坦で島状に形成される第2導電型領域と、この第2導電型領域内に第1導電型不純物を導入して形成される第1導電型領域と、前記半導体基板の前記第1導電型領域の表面から少なくとも前記第2導電型領域に達するように形成された溝と、この溝内壁面に形成された絶縁膜と、前記溝内に前記絶縁膜を介した状態で充填された多結晶シリコンからなる電極部とから構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 655

FI (5)：

H01L 29/78 652 E ,  H01L 29/78 652 F ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/78 655 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-014048   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平3-018064
  
• 炭化けい素半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-221244   Applicant：富士電機株式会社
• 特開平2-264464
  
• 半導体デバイスの改良
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-168083   Applicant：プレッシーセミコンダクターズリミテッド
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-215025   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開昭63-224260
  
• 固有スイッチオン抵抗の低減されたヴァーティカルMOSトランジスタ装置のボディ領域の製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-603087   Applicant：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
• 縦型MOSFETの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-325211   Applicant：日本電気株式会社