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J-GLOBAL ID：200903024165358998

オキシムスルホネート化合物及びレジスト用酸発生剤

Inventor： 羽田 英夫 ,  駒野 博司 ,  中山 寿昌
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 阿形 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996018007
Publication number (International publication number)：1997208554
Application date： Feb. 02, 1996
Publication date： Aug. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 レジストの酸発生剤として用いた場合、酸の発生効率が高く、パターン形状、寸法忠実性、露光余裕度及び耐熱性などに優れるレジストパターンを与える新規なオキシムスルホネート化合物を提供する。【解決手段】 一般式【化1】(R1及びR2は炭化水素基又は置換基を有する炭化水素基であり、それらはたがいに同一でも異なっていてもよい)で表わされるオキシムスルホネート化合物とする。

Claim (excerpt)：

一般式【化1】(式中のR1及びR2は、それぞれ炭化水素基又は置換基を有する炭化水素基であり、それらはたがいに同一でも異なっていてもよい)で表わされるオキシムスルホネート化合物。

IPC (2)：

C07C307/02 ,  G03F 7/004 503

FI (2)：

C07C307/02 ,  G03F 7/004 503

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-154266
  
• 特開平2-161444
  
• マイクロリトグラフィックレジスト組成物、酸不安定化合物、マイクロリトグラフィックレリーフ画像形成方法及び酸感知性ポリマー組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-093265   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• レジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-110324   Applicant：信越化学工業株式会社