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J-GLOBAL ID：200903024178667787

気相成長方法

Inventor： 羽深 等 ,  楯 直人 ,  黛 雅典 ,  角田 均 ,  片山 正健
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 舘野 公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995066883
Publication number (International publication number)：1996236462
Application date： Mar. 01, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 マイクロラフネスを伴わない平坦な表面状態のエピウェーハを確実に製造することができる気相成長方法を提供する。【構成】 シリコン単結晶基板を、好ましくは800°C未満の温度より不活性ガス雰囲気内で昇温する工程と、自然酸化膜を気相成長の前に950°C以上1190°C以下の水素ガス雰囲気内でエッチング除去する工程とを有する気相成長方法である。

Claim (excerpt)：

シリコン単結晶基板の主表面上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる方法において、前記シリコン単結晶基板を不活性ガス雰囲気内で昇温する工程と、前記シリコン単結晶基板の表面上に形成された自然酸化膜を気相成長の前に水素ガスでエッチング除去する工程とを有することを特徴とする気相成長方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/02 ,  C30B 29/06 504 ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/3065

FI (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/02 ,  C30B 29/06 504 F ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-055840
  
• 特開平3-055840
  
• 半導体ウェーハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-196576   Applicant：九州電子金属株式会社, 住友シチックス株式会社
• 特開昭62-210627