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J-GLOBAL ID：200903024225563839

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
小野 瑞城

About 小野 瑞城


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999161986
Publication number (International publication number)：2000349169
Application date： Jun. 09, 1999
Publication date： Dec. 15, 2000
Summary：
【要約】【課題】半導体装置に於いて接触抵抗に起因する寄生抵抗を抑制し、低い電圧下で高い駆動力を有し速い速度で動作する半導体装置を提供する。【解決手段】N型半導体層上とP型半導体層上との双方に複数種類の金属ないしは金属珪化物の層を設けることを特徴とする半導体装置。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたP型領域と、前記半導体基板上に形成されたN型領域と、前記P型領域および前記N型領域に形成された第1の金属或いはこの第1の金属の金属半導体化合物と、前記P型領域およびN型領域に形成された第2の金属或いはこの第2の金属の金属半導体化合物とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78
FI (3)：
H01L 27/08 321 F ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 29/78 301 X
F-Term (61)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104BB25 ,  4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD37 ,  4M104EE03 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104FF22 ,  4M104FF24 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH17 ,  5F040DA10 ,  5F040DA22 ,  5F040DB03 ,  5F040DC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC12 ,  5F040EC13 ,  5F040EC19 ,  5F040EF03 ,  5F040EH02 ,  5F040EH03 ,  5F040EH07 ,  5F040EJ07 ,  5F040EK05 ,  5F040FB04 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-246365   Applicant：富士通株式会社
  • 半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-170285   Applicant：ヤマハ株式会社
  • 特開平4-154120
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