化合物半導体層含有基板およびその製造方法ならびにこれを用いた半導体装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：池内寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999207632
Publication number (International publication number)：2000106348
Application date： Jul. 22, 1999
Publication date： Apr. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】表面平坦性と結晶性の良好なIII族窒化物系化合物半導体を備える化合物半導体層含有基板およびその製造方法、ならびにこれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】基板11と、基板11上に形成された第1の半導体層12と、半導体層12上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体からなる第2の半導体層13とを備える。半導体層12は、複数の細孔14を有する。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成された第2の半導体層とを備え、前記第1の半導体層が複数の細孔を有し、前記第2の半導体層がIII族窒化物系化合物半導体からなることを特徴とする化合物半導体層含有基板。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/323

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-252477 Applicant：新技術事業団
特開平4-012092
特開平4-012097

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