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J-GLOBAL ID：200903024348507127

磁気抵抗効果素子およびこれを有する磁気メモリ

Inventor：
西 山 勝 哉

About 西 山 勝 哉

, 
斉 藤 好 昭

About 斉 藤 好 昭

, 
天 野 実

About 天 野 実


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 吉武 賢次 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002088827
Publication number (International publication number)：2003283000
Application date： Mar. 27, 2002
Publication date： Oct. 03, 2003
Summary：
【要約】【課題】 サイズを低減しても、MR比が大きく、熱安定性が優れ、スイッチング磁場が小さな磁気抵抗効果素子およびこの磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリを得ることを可能にする。【解決手段】 複数の強磁性層が非磁性層を介して積層された記憶層と、少なくとも1層の強磁性層を有する磁性膜と、前記記憶層と前記磁性膜との間に設けられたトンネルバリア層と、を備え、前記記憶層の強磁性層は、Ni-Fe-Co三元合金からなり、Ni-Fe-Co三元状態図において、Co90(at%)Fe10(at%)-Fe30(at%)Ni70(at%)の直線、Fe80(at%)Ni20(at%)-Fe30(at%)Ni70(at%)の直線、Fe80(at%)Ni20(at%)-Co65(at%) Ni35(at%)の直線が囲む内側の組成領域およびFe80(at%)Ni20(at%)-Co65(at%)Ni35(at%)の直線、Co90(at%)Fe10(at%)-Fe70(at%)Ni30(at%)の直線、Co90(at%)Fe10(at%)-Fe30(at%)Ni70(at%)の直線が囲む内側の組成領域のうちのいずれか一方の組成領域から選ばれる組成を有し、前記記憶層と前記トンネルハ ゙リア層の界面および前記磁性膜と前記トンネルハ ゙リア層の界面における最大表面粗さが0.4nm以下である。
Claim (excerpt)：
複数の強磁性層が非磁性層を介して積層された記憶層と、少なくとも1層の強磁性層を有する磁性膜と、前記記憶層と前記磁性膜との間に設けられたトンネルバリア層と、を備え、前記記憶層の強磁性層は、Ni-Fe-Co三元合金からなり、Ni-Fe-Co三元状態図において、Co90(at%)Fe10(at%)-Fe30(at%)Ni70(at%)の直線、Fe80(at%)Ni20(at%)-Fe30(at%)Ni70(at%)の直線、Fe80(at%)Ni20(at%)-Co65(at%)Ni35(at%)の直線が囲む内側の組成領域およびFe80(at%)Ni20(at%)-Co65(at%)Ni35(at%)の直線、Co90(at%)Fe10(at%)-Fe70(at%)Ni30(at%)の直線、Co90(at%)Fe10(at%)-Fe30(at%)Ni70(at%)の直線が囲む内側の組成領域のうちのいずれか一方の組成領域から選ばれる組成を有し、前記記憶層と前記トンネルバリア層の界面および前記磁性膜と前記トンネルバリア層の界面における最大表面粗さが0.4nm以下であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (5)：
H01L 43/08 ,  G11C 11/15 112 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105
FI (6)：
H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 M ,  G11C 11/15 112 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 447
F-Term (14)：
5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083ZA21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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