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J-GLOBAL ID：200903072090204994
トンネル磁気抵抗効果素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
皿田 秀夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999208441
Publication number (International publication number)：2001036164
Application date： Jul. 23, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：
【要約】【課題】 トンネル磁気抵抗効果素子の良好な特性、特に、大きなヘッド出力が得られるようなトンネルバリア層の仕様を提案する。【解決手段】 トンネルバリア層と、トンネルバリア層を挟むようにして形成された強磁性フリー層と強磁性ピンド層が積層されたトンネル多層膜を有するトンネル磁気抵抗効果素子であって、前記トンネルバリア層表面の表面粗さの状態を示す3つの指標である、中心線平均粗さRaが1nm以下、最大高さRmaxが10nm以下、標準偏差粗さRrmsが1.2nm以下となるように構成する。
Claim (excerpt)：
トンネルバリア層と、トンネルバリア層を挟むようにして形成された強磁性フリー層と強磁性ピンド層が積層されたトンネル多層膜を有するトンネル磁気抵抗効果素子であって、前記トンネルバリア層表面の表面粗さの状態を示す3つの指標である、中心線平均粗さRaが1nm以下、最大高さRmaxが10nm以下、標準偏差粗さRrmsが1.2nm以下であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
Patent cited by the Patent：
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