電極構造およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994167124
Publication number (International publication number)：1996032115
Application date： Jul. 19, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 p型AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)半導体に対して良好なオーミック接触が得られる電極構造とする。【構成】 p型AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)半導体層61上に、窒化物生成自由エネルギー変化が0kcal/mol以下の金属と水素貯蔵金属とを堆積して電極62を形成すると、金属性窒化物層および金属水素化物層からなる電極が形成される。金属性窒素化物層により窒素原子が半導体層表面に引き寄せられ、半導体層61表面近傍は窒素原子空孔が少ないp型伝導性に適した結晶状態となる。金属水素化物層によりMg原子と結合している水素が引き寄せられ、表面近傍63のMg原子がアクセプタ不純物として活性化される。半導体層/電極界面63ではコンタクト層として十分な高キャリア濃度が得られ、極めて小さいオーミック接触抵抗が実現できる。

Claim (excerpt)：

p型AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)半導体層を有し、該半導体層上に設けられる電極が金属性窒化物および金属水素化物の混合した層構造、または金属性窒化物層および金属水素化物層を含む層構造となっている電極構造。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

窒化物系半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-211793 Applicant：旭化成工業株式会社
半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-135220 Applicant：旭化成工業株式会社
発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-222627 Applicant：旭化成工業株式会社

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