窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996067631
Publication number (International publication number)：1997260771
Application date： Mar. 25, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【目的】容易にストライプ幅の狭い活性領域が作製できる窒化物半導体レーザ素子の製造方法と、従来の電極ストライプ型のレーザ素子よりも閾値電流が低下した新規な窒化物半導体レーザ素子の構造とを提供して、室温での連続発振を目指す。【構成】第1の窒化物半導体層の上に、活性層と異なる屈折率を有し、さらに表面に窒化物半導体が成長できる性質を有する電流阻止層を形成し、前記電流阻止層の表面に所定のストライプ溝を有するマスクを形成し、さらにマスクが形成された電流阻止層をエッチングして、その電流阻止層に活性層の導波路に相当するストライプ状の開口部を形成することにより、電流阻止層がストライプ状の開口部を有する形状で、窒化物半導体積層構造の内部に形成されている。

Claim (excerpt)：

活性層と異なる屈折率を有し、さらに表面に窒化物半導体が成長できる性質を有する電流阻止層が、ストライプ状の開口部を有する形状で、窒化物半導体積層構造の内部に形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-099587
特開平1-149498
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-038159 Applicant：株式会社東芝

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