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J-GLOBAL ID：200903024518400470

プラズマ化学蒸着装置

Inventor： 森田 章二 ,  青井 辰史 ,  宇田 和孝 ,  村田 正義 ,  大嶋 一晃
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997122245
Publication number (International publication number)：1998312965
Application date： May. 13, 1997
Publication date： Nov. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】ヒータ目詰まりによる成膜速度の低減割合を改善するともに、高品質膜を高成膜速度にて成膜することを課題とする。【解決手段】真空容器(1) と、この真空容器(1) に反応ガスを導入して排出する反応ガス導入管(11)及び排気管(12)と、前記真空容器(11)内に配置され、上部に基板(13)を支持した接地電極(3) と、前記真空容器(1) 内に前記接地電極(3) と対向するように配置されたプラズマ発生用電極(2) と、前記プラズマ発生用電極(2) と基板(13)との間に設けられた、空隙を有する加熱用ヒータ(14)と、前記プラズマ発生用電極(2) に接続された、周波数60MHz以上のプラズマ中のラジカル構成比制御用高周波電源(4) とを具備することを特徴とするプラズマ化学蒸着装置。

Claim (excerpt)：

真空容器と、この真空容器に反応ガスを導入して排出する手段と、前記真空容器内に配置され、上部に基板を支持した接地電極と、前記真空容器内に前記接地電極と対向するように配置されたプラズマ発生用電極と、前記プラズマ発生用電極と基板との間に設けられた、空隙を有する加熱用ヒータと、前記プラズマ発生用電極に接続された、周波数60MHz以上のプラズマ中のラジカル構成比制御用高周波電源とを具備することを特徴とするプラズマ化学蒸着装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-241338   Applicant：鐘淵化学工業株式会社, 工業技術院長
• プラズマCVD法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-276348   Applicant：日新電機株式会社