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J-GLOBAL ID：200903092086795113

半導体の製造方法

Inventor： 西尾 仁 ,  ガウタム ガングリー ,  松田 彰久
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社 ,  工業技術院長
Agent (2)： 柳野 隆生 ,  柳野 隆生 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993241338
Publication number (International publication number)：1995099159
Application date： Sep. 28, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】気相成長によるテトラヘドラル系非晶質半導体のバルク中の欠陥密度を低い基板温度において低減し、これらを太陽電池等へ応用する際に電気特性を向上させることのできる半導体の製造方法を提供するものである。【構成】反応容器内にメッシュ発熱体を配置し、半導体の成長中に前記メッシュ発熱体を加熱することによって気相に熱エネルギーを与えるものであり、前記メッシュ発熱体をメッシュ電極とし、このメッシュ電極を通電によって加熱することを併せて提案するものである。

Claim (excerpt)：

気相成長による半導体の製造方法であって、反応容器内にメッシュ発熱体を配置し、半導体の成長中に前記メッシュ発熱体を加熱することによって気相に熱エネルギーを与える半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 31/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 3極プラズマCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-019194   Applicant：日新電機株式会社
• 特開昭63-228610
  
• 特開昭62-149880