プラズマCVD法及び装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：谷川昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994276348
Publication number (International publication number)：1995183236
Application date： Nov. 10, 1994
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】膜堆積に寄与する反応種の生成を妨げず、ダストパーティクル発生の原因となる反応種の生成を抑制することにより、成膜速度を著しく低下させることなく、或いは向上させて成膜でき、且つ、ダストパーティクル発生を抑制してそれだけ高品質の膜を形成できるプラズマCVD法及び装置を提供する。【構成】成膜用原料ガスをプラズマ化し、このプラズマのもとで被成膜基体S1上に膜を形成するプラズマCVD法及び装置において、原料ガスのプラズマ化を、周波数が10MHzから200MHzの範囲の基本高周波電力にこの周波数の1000分の1から10分の1の範囲における変調周波数で振幅変調を施した状態の高周波電力の印加により、或いはさらに該振幅変調周波数の100倍未満で100分の1より高い変調周波数で第2の振幅変調も施した状態の高周波電力の印加により行うプラズマCVD法及び装置。

Claim (excerpt)：

成膜用原料ガスをプラズマ化し、該プラズマのもとで被成膜基体上に膜を形成するプラズマCVD法において、前記原料ガスのプラズマ化を、周波数が10MHzから200MHzの範囲の基本高周波電力に該周波数の1000分の1から10分の1の範囲における変調周波数で振幅変調を施した状態の高周波電力の印加により行うことを特徴とするプラズマCVD法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭64-073620
プラズマCVD法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-327369 Applicant：日新電機株式会社
薄膜トランジスタ用の膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-019196 Applicant：日新電機株式会社

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