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J-GLOBAL ID：200903024546175636

酸化物半導体電極の製造方法

Inventor： 樋口 和夫 ,  若山 博昭 ,  稲垣 伸二 ,  福嶋 喜章
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 高橋 祥泰 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998189224
Publication number (International publication number)：2000021461
Application date： Jul. 03, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 電極基体の細孔等の内部まで修飾層を形成することができ,エネルギー変換効率に優れた,酸化物半導体電極の製造方法を提供すること。【解決手段】 多孔質の酸化物半導体よりなる電極基体21の表面に,修飾層の前駆体を溶解した超臨界流体を接触させ,次いで,前駆体を酸化物として析出させて電極基体21の表面の少なくとも一部に修飾層22を形成する。

Claim (excerpt)：

多孔質の酸化物半導体よりなる電極基体の表面に,修飾層の前駆体を溶解した超臨界流体を接触させ,次いで,上記前駆体を酸化物として析出させて上記電極基体表面の少なくとも一部に修飾層を形成することを特徴とする酸化物半導体電極の製造方法。

IPC (3)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04 ,  H01L 21/28 301

FI (3)：

H01M 14/00 P ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 31/04 Z

F-Term (13)：

4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD51 ,  4M104DD79 ,  4M104FF06 ,  4M104GG05 ,  4M104HH20 ,  5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032BB10 ,  5H032EE16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 湿式太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-329968   Applicant：株式会社ニコン
• 特開平4-006180
  
• エアロゲルの製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-105316   Applicant：松下電工株式会社
• 特開平3-252312
  
• 無機多孔体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-160401   Applicant：松下電工株式会社
• 無機多孔体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-160245   Applicant：松下電工株式会社