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J-GLOBAL ID：200903024566882568

アクティブマトリクス型表示装置およびその作製方法

Inventor： 渋谷 司 ,  芳之内 淳 ,  張 宏勇 ,  久保 伸夫
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  シャープ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996271461
Publication number (International publication number)：1998098196
Application date： Sep. 21, 1996
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：

【要約】【目的】 周辺駆動回路一体型のアクティブマトリクス液晶表示装置において、各回路に配置される薄膜トランジスタの特性を最適化する。【構成】 画素マトリクス部には、非自己整合プロセスを利用してオフセットゲイト領域134、136を形成した薄膜トランジスタを配置し、Nチャネルドライバー部には非自己整合プロセスと自己整合プロセスとを併用して低濃度不純物領域128と130を形成した薄膜トランジスタを配置し、Pチャンネルドライバー部には、自己整合プロセスによって形成された薄膜トランジスタを配置する。このようにすることで、各回路に必要とされる特性を備えた薄膜トランジスタをそれぞれ配置することができる。

Claim (excerpt)：

同一基板上に画素マトリクス部と周辺駆動回路部とを配置した構成を有し、前記画素マトリクス部にはオフセットゲイト領域を備えたNチャネル型の薄膜トランジスタが配置され、前記周辺駆動回路には、チャネル領域とドレイン領域との間にドレイン領域よりも低濃度にN型を付与する不純物がドーピングされた低濃度不純物領域を備えたNチャネル型の薄膜トランジスタが配置され、前記オフセットゲイト領域の一方に接してチャネル形成領域が配置され、前記オフセットゲイト領域の他方に接してドレイン領域が配置され、ていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-253081   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• アクティブマトリクス回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-154177   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-096408   Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (3)

• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-253081   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• アクティブマトリクス回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-154177   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-096408   Applicant：三菱電機株式会社