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J-GLOBAL ID：200903024676433955

III-V族化合物半導体発光素子

Inventor： 大久保 伸洋 ,  厚主 文弘 ,  渡辺 昌規
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997116645
Publication number (International publication number)：1998308551
Application date： May. 07, 1997
Publication date： Nov. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】 p型及びn型添加不純物の拡散を抑制する。【解決手段】 複数のn型III-V族化合物半導体膜と、複数のp型III-V族化合物半導体膜と、を備えたIII-V族化合物半導体発光素子において、前記p型III-V族化合物半導体の少なくとも1層は、炭素原子とII族元素原子とが同時に添加されてなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

複数のn型III-V族化合物半導体膜と、複数のp型III-V族化合物半導体膜と、を備えたIII-V族化合物半導体発光素子において、前記p型III-V族化合物半導体の少なくとも1層は、炭素原子とII族元素原子とが同時に添加されてなることを特徴とするIII-V族化合物半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 化合物半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-221816   Applicant：株式会社東芝
• 半導体レーザ装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-224149   Applicant：シャープ株式会社