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J-GLOBAL ID：200903024687861371

酸化物薄膜の製作方法、圧電膜および液体吐出ヘッド

Inventor：
和田 隆亜

About 和田 隆亜


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 阪本 善朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004173356
Publication number (International publication number)：2005350735
Application date： Jun. 11, 2004
Publication date： Dec. 22, 2005
Summary：
【課題】単結晶基板等の限定された基板を用いることなく、高配向結晶性の酸化物薄膜を直接デバイス等に成膜できる酸化物薄膜の製作方法を提供する。【解決手段】Arガス等のスパッタリングガスを導入する成膜チャンバー10内で、ターゲット1に対向する基板W上にPZT膜等の酸化物薄膜をスパッタリングによって成膜する。ターゲット1から叩き出されるPb、Zr、Ti等の金属原子の平均自由工程がターゲット-基板間距離より長くなるように、成膜チャンバー10内のスパッタリングガス圧を制御することで、後焼成により極めて高配向に結晶化しやすい酸化物薄膜を成膜する。基板を選ばす、デバイス等に直接圧電膜等を製作できるため、製造コストを大幅に低減できる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板に対向するターゲットから叩き出された金属原子を用いたスパッタリングによって酸化物薄膜を成膜する酸化物薄膜の製作方法において、 前記金属原子の平均自由工程がターゲット-基板間距離より長くなるように成膜条件を制御することを特徴とする酸化物薄膜の製作方法。
IPC (6)：
C23C14/34 ,  B41J2/16 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  H01L41/24
FI (6)：
C23C14/34 M ,  H01L41/22 A ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/08 J ,  H01L41/22 Z ,  B41J3/04 103H
F-Term (14)：
2C057AF93 ,  2C057AG44 ,  2C057AP14 ,  2C057AP52 ,  4K029AA04 ,  4K029AA06 ,  4K029BA13 ,  4K029BA17 ,  4K029BA50 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC35 ,  4K029EA03 ,  4K029GA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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