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J-GLOBAL ID：200903024731247260

成膜装置及び成膜方法

Inventor：
莫 雲

About 莫 雲


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004365867
Publication number (International publication number)：2006169601
Application date： Dec. 17, 2004
Publication date： Jun. 29, 2006
Summary：
【課題】超臨界状態の媒体の自然対流を抑制することができ、被処理基板の成膜面に均一に成膜することのできる成膜装置及び成膜方法を提供する。【解決手段】処理容器10内には、被処理基板である半導体ウエハWを、その成膜面が下向きになるように保持する基板保持機構11が設けられている。基板保持機構11には、同心状の領域に複数に分割されたヒータ12及びこれらの各領域に配置された複数の温度センサ13が設けられ、制御装置14によって、複数の領域毎に温度制御することができるよう構成されている。処理容器10内の底部には、処理容器10内に、超臨界状態の媒体と成膜原料物質とを含む処理媒体を、複数の供給口16から供給する処理媒体供給機構15が設けられている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
被処理基板を収容した処理容器内に、超臨界状態の媒体と成膜原料物質とを含む処理媒体を供給し、前記被処理基板の成膜面に成膜する成膜装置であって、 前記処理容器内に設けられ、前記被処理基板を前記成膜面が下向きになるように保持する被処理基板保持機構と、 前記処理基板保持機構に保持された前記被処理基板を前記成膜面の裏面側から加熱する加熱機構と を具備したことを特徴とする成膜装置。
IPC (1)：
C23C 16/458
FI (1)：
C23C16/458
F-Term (24)：
4K030AA02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA01 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA06 ,  4K030EA14 ,  4K030FA10 ,  4K030GA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA24 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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