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J-GLOBAL ID：200903055051082049

成膜装置及び成膜方法

Inventor： 鈴木 光博 ,  木島 健 ,  名取 栄治
Applicant, Patent owner： 株式会社ユーテック ,  セイコーエプソン株式会社
Agent (2)： 柳瀬 睦肇 (外1名) ,  柳瀬 睦肇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002015140
Publication number (International publication number)：2003213425
Application date： Jan. 24, 2002
Publication date： Jul. 30, 2003
Summary：

【要約】【課題】 超臨界状態の流体又は液体に成膜原料を混合した原料流体を用いて薄膜を成膜する成膜装置及び成膜方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る成膜装置は、形成目的とする金属酸化物構成元素からなる縮重合体とアルコールと超臨界状態の流体又は液体の二酸化炭素とを混合した原料流体を供給して薄膜形成する装置である。この成膜装置は、基板3を保持する基板ホルダー2と、この基板ホルダーを収容する成膜チャンバー1と、上記原料流体を基板表面に供給する供給機構と、上記基板ホルダー2に保持された基板3を加熱するランプヒータ4と、を具備するものである。これにより、超臨界状態の流体又は液体に成膜原料を混合した原料流体を用いて薄膜を成膜することができる。

Claim (excerpt)：

形成目的とする金属酸化物構成元素からなる縮重合体とアルコールと超臨界状態の流体又は液体の二酸化炭素とを混合した原料流体を供給して薄膜形成する成膜装置であって、基板を保持する基板ホルダーと、この基板ホルダーを収容する成膜チャンバーと、上記原料流体を基板表面に供給する供給機構と、上記基板ホルダーに保持された基板を加熱する加熱装置と、を具備することを特徴とする成膜装置。

IPC (3)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (3)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/31 A ,  H01L 21/316 C

F-Term (27)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA42 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030FA03 ,  4K030FA08 ,  4K030FA10 ,  4K030FA12 ,  4K030GA06 ,  4K030KA24 ,  5F045AA20 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC18 ,  5F045AD04 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB14 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EK14 ,  5F045HA16 ,  5F058BA05 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平4-168277
  
• 薄膜気相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-108465   Applicant：株式会社荏原製作所
• 異物除去方法,膜形成方法,半導体装置及び膜形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-018265   Applicant：松下電器産業株式会社
• 金属酸化膜の形成方法及び成膜処理システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-288695   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 薄膜形成方法および薄膜形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-131736   Applicant：三菱電機株式会社
• 無機化合物固体の形成方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-370807   Applicant：ローム株式会社