基板処理方法および半導体装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003017948
Publication number (International publication number)：2004228526
Application date： Jan. 27, 2003
Publication date： Aug. 12, 2004
Summary：

【課題】超臨界状態の媒体を用いて、高アスペクト比の微細なパターンへのCuの拡散防止膜およびCu膜の埋め込みを可能にする。【解決手段】第1の超臨界状態の媒体を含む第1の処理媒体を被処理基板上に供給して基板処理を行う第1の工程と、第2の超臨界状態の媒体を含む第2の処理媒体を前記被処理基板上に供給することにより、前記被処理基板上にCu拡散防止膜を形成する第2の工程と、第3の超臨界状態の媒体を含む第3の処理媒体を前記被処理基板上に供給することにより、前記被処理基板上にCu膜を形成する第3の工程とを有することを特徴とする基板処理方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の超臨界状態の媒体を含む第1の処理媒体を被処理基板上に供給して基板処理を行う第1の工程と、第2の超臨界状態の媒体を含む第2の処理媒体を前記被処理基板上に供給することにより、前記被処理基板上にCu拡散防止膜を形成する第2の工程と、第3の超臨界状態の媒体を含む第3の処理媒体を前記被処理基板上に供給することにより、前記被処理基板上にCu膜を形成する第3の工程とを有することを特徴とする基板処理方法。

IPC (4)：

H01L21/288 , H01L21/28 , H01L21/304 , H01L21/3205

FI (5)：

H01L21/288 M , H01L21/28 A , H01L21/304 641 , H01L21/88 B , H01L21/88 R

F-Term (40)：

4M104BB04 , 4M104BB17 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD23 , 4M104DD51 , 4M104DD64 , 4M104DD75 , 4M104FF13 , 4M104HH09 , 4M104HH13 , 4M104HH14 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033KK11 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP26 , 5F033QQ08 , 5F033QQ11 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033XX02 , 5F033XX04 , 5F033XX09 , 5F033XX10 , 5F033XX14 , 5F033XX28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-036020 Applicant：日本電気株式会社
特開平2-209729
粒子をコーティングするための方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-609177 Applicant：サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・ルシェルシュ・シャンティフィク

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Deposition of Conformal Copper and Nickel Films from Supercritical Carbon Dioxide

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