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J-GLOBAL ID：200903024743588780

エピタキシャルウェハの製造方法

Inventor：
工藤 広光

About 工藤 広光

, 
岡川 広明

About 岡川 広明


Applicant, Patent owner：
三菱化学株式会社

About 三菱化学株式会社


Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007209394
Publication number (International publication number)：2009040657
Application date： Aug. 10, 2007
Publication date： Feb. 26, 2009
Summary：
【課題】凹部が浅く扁平であるPSS(Patterned Sapphire Substrate)を用いた場合であっても、PSSと窒化物半導体膜との間に空洞を確実に形成することのできる、PSS/窒化物エピウェハの製造方法を提供する。【解決手段】AlxGa1-xN(0<x≦1)からなる低温バッファ層を、凹部の底面上と凸部の上面上とで低温バッファ層の成長速度および/またはAl組成xが異なるように成長させる工程と、この工程に続いて窒化物半導体膜を成長させる工程とを有し、窒化物半導体膜を成長させる工程の初期において、凹部の底面上における窒化物半導体の成長速度が、凸部の上面上における窒化物半導体の成長速度よりも小さくなるように、低温バッファ層の膜厚を設定する。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
成長面に凹部及び凸部が設けられており、該凹部が底面を有する凹部であり、該凸部が上面を有する凸部である、サファイア基板と、 前記凸部の上部を起点として前記成長面を覆うように成長した窒化物半導体膜と、 を有するエピタキシャルウェハの製造方法であって、 前記成長面上にAlxGa1-xN(0<x≦1)からなる低温バッファ層を、前記凹部の底面上と前記凸部の上面上とで当該低温バッファ層の成長速度および/またはAl組成xが異なるように成長させる工程と、この工程に続いて前記窒化物半導体膜を成長させる工程とを有し、 前記窒化物半導体膜を成長させる工程の初期において、前記凹部の底面上における窒化物半導体の成長速度が、前記凸部の上面上における窒化物半導体の成長速度よりも小さくなるように、前記低温バッファ層の膜厚を設定する、 ことを特徴とするエピタキシャルウェハの製造方法。
IPC (7)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C30B 25/18 ,  H01L 33/00 ,  H01L 31/10 ,  H01S 5/02
FI (7)：
C30B29/38 D ,  H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  H01L33/00 C ,  H01L31/10 A ,  H01S5/02
F-Term (61)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077EH09 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA08 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TJ02 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK08 ,  4G077TK10 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA11 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA12 ,  4K030LA14 ,  5F041AA42 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AE29 ,  5F045AF09 ,  5F049MB07 ,  5F049NA18 ,  5F049PA03 ,  5F049PA14 ,  5F049SS01 ,  5F049SS06 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP04 ,  5F173AR94
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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