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J-GLOBAL ID：200903024775723698

光電変換装置及びその製造方法並びに光発電装置

Inventor：
樋口 永

About 樋口 永


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005337010
Publication number (International publication number)：2007141764
Application date： Nov. 22, 2005
Publication date： Jun. 07, 2007
Summary：
【課題】 可視光の短波長光と長波長光とを多孔質酸化物半導体層で閉じ込めて効率的に吸収させて、光電流を増大させて変換効率を高めること。【解決手段】 光電変換装置1は、導電性基板2上に色素を担持した多孔質酸化物半導体層3,4及び電解質層7が形成された色素増感型の光電変換装置1において、多孔質酸化物半導体層3,4は、複数層が積層されて成るとともに、光入射側の多孔質酸化物半導体層3の表面または破断面の表面の算術平均粗さが光出射側の多孔質酸化物半導体層4の表面または破断面の表面の算術平均粗さよりも小さく、光入射側の多孔質酸化物半導体層3の厚みが光出射側の多孔質酸化物半導体層4の厚みよりも厚い。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
導電性基板上に色素を担持した多孔質酸化物半導体層及び電解質層が形成された色素増感型の光電変換装置において、前記多孔質酸化物半導体層は、複数層が積層されて成るとともに、光入射側の前記多孔質酸化物半導体層の表面または破断面の表面の算術平均粗さが光出射側の前記多孔質酸化物半導体層の表面または破断面の表面の算術平均粗さよりも小さく、光入射側の前記多孔質酸化物半導体層の厚みが光出射側の前記多孔質酸化物半導体層の厚みよりも厚いことを特徴とする光電変換装置。
IPC (2)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2)：
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
F-Term (17)：
5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS09 ,  5H032AS10 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB05 ,  5H032BB10 ,  5H032CC14 ,  5H032EE02 ,  5H032EE09 ,  5H032HH04 ,  5H032HH07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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