レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006288456
Publication number (International publication number)：2008107443
Application date： Oct. 24, 2006
Publication date： May. 08, 2008
Summary：

【課題】フォトレジストの上に保護膜を用いて保護膜と投影レンズの間に水を挿入する液浸リソグラフィー工程において、(1)保護膜層とフォトレジスト膜層とのインターミキシングを防止し、及び、(2)現像後のレジスト表面をより親水性化させることによって欠陥の発生を防止する。【解決手段】酸によってアルカリ溶解性が向上するベース樹脂となる高分子化合物と、高分子添加剤としてスルホン酸アミン塩を有する繰り返し単位と少なくとも1個のフッ素原子を有する繰り返し単位とを共重合した高分子化合物とを含むことを特徴とするレジスト材料。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

酸によってアルカリ溶解性が向上するベース樹脂となる高分子化合物と、高分子添加剤としてスルホン酸アミン塩を有する繰り返し単位と少なくとも1個のフッ素原子を有する繰り返し単位とを共重合した高分子化合物とを含むことを特徴とするレジスト材料。

IPC (7)：

G03F 7/039 , G03F 7/038 , G03F 7/004 , H01L 21/027 , C08F 220/34 , C08F 220/22 , G03F 7/38

FI (8)：

G03F7/039 601 , G03F7/038 601 , G03F7/004 501 , H01L21/30 502R , H01L21/30 575 , C08F220/34 , C08F220/22 , G03F7/38 501

F-Term (51)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025AD05 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BF02 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CB48 , 2H025CC03 , 2H025CC04 , 2H025CC17 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096BA20 , 2H096CA20 , 2H096EA05 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096JA02 , 2H096JA03 , 4J100AB07Q , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100BA03P , 4J100BA33Q , 4J100BA44R , 4J100BA56Q , 4J100BB10P , 4J100BB17P , 4J100BB17Q , 4J100BB18P , 4J100BC08R , 4J100BC53P , 4J100BC53R , 4J100BC58R , 4J100BC64Q , 4J100CA04 , 4J100FA19 , 4J100GC07 , 5F046JA22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、および該保護膜を用いたレジストパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-132081 Applicant：東京応化工業株式会社

Cited by examiner (1)

液浸リソグラフィーに用いるレジスト積層体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-010900 Applicant：ダイキン工業株式会社

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