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J-GLOBAL ID：200903024842623482

プラズマ処理装置

Inventor：
浜 貴一

About 浜 貴一

, 
本郷 俊明

About 本郷 俊明


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 亀谷 美明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996195686
Publication number (International publication number)：1997115895
Application date： Jul. 05, 1996
Publication date： May. 02, 1997
Summary：
【要約】【課題】 高周波誘導プラズマ装置のプラズマの高密度化を図る。【解決手段】 高周波アンテナ112に高周波電力を印加することにより処理室102a内に誘導プラズマを励起して、処理室a内の被処理体Wに対して処理を施す高周波誘導ラズマ処理装置100に、接地された処理室内の壁面102bに接して周囲側壁が誘電体より成るアンテナ室110を形成し、大気圧未満の圧力雰囲気にされたアンテナ室内に高周波アンテナを設置している。その結果、大気圧と高真空の処理室内とを隔離していた従来の誘電体の肉厚に比較して、アンテナ室の側壁の肉厚を薄く構成することが可能となり、高周波電源116より印加される高周波エネルギーをより効率的に処理室内に伝播させることができる。
Claim (excerpt)：
高周波アンテナに高周波電力を印加することにより処理室内に誘導プラズマを励起して、前記処理室内の被処理体に対して処理を施す如く構成されたプラズマ処理装置において、接地された前記処理室内の内壁面に接して誘電体から成る壁により囲まれたアンテナ室を形成し、そのアンテナ室を大気圧未満の圧力雰囲気に制御するとともに、そのアンテナ室内に前記高周波アンテナを設置したことを特徴とする、プラズマ処理装置。
IPC (6)：
H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 ,  C23C 16/50
FI (6)：
H01L 21/302 B ,  B01J 19/08 E ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 L ,  C23C 16/50
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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