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J-GLOBAL ID：200903024848577059

プラズマ処理方法及び処理装置

Inventor： 川口 忠義 ,  金清 任光 ,  光田 明彦 ,  島田 剛 ,  金井 三郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002038730
Publication number (International publication number)：2003243362
Application date： Feb. 15, 2002
Publication date： Aug. 29, 2003
Summary：

【要約】【課題】ファラデーシールドを用いて不揮発性材料を処理するプラズマ処理装置において、真空容器内壁への反応生成物の付着を抑制するエッチング方法及び付着した反応生成物を効率良く除去するクリーニング方法を提供することを目的とする。【解決手段】プラズマ生成部を形成する真空容器2に処理ガスを供給し、前記真空容器2の外周に設けられ高周波電力を印加可能なアンテナ1及びファラデーシールド8を用いてプラズマ6を生成し処理を行うプラズマ処理方法において、前記ファラデーシールド8に少なくとも500V以上の電圧を印加し、前記真空容器2内に設けられ被エッチング材料が不揮発性材料である試料12をエッチングする。

Claim (excerpt)：

プラズマ生成部を形成する真空容器に処理ガスを供給し、前記真空容器の外周に設けられ高周波電力を印加可能なアンテナ及びファラデーシールドを用いてプラズマを生成し処理を行うプラズマ処理方法において、前記ファラデーシールドに少なくとも500V以上の電圧を印加し、前記真空容器内に設けられ被エッチング材料が不揮発性材料である試料をエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。

F-Term (18)：

5F004AA01 ,  5F004AA15 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB28 ,  5F004BC02 ,  5F004BD03 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004CB02 ,  5F004CB16 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA26 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F004DB29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 誘導結合型プラズマエッチング装置のRFピークトゥピーク電圧を能動的に制御する装置および方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-095019   Applicant：ラムリサーチコーポレーション
• 酸化タンタルのエッチング処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-147578   Applicant：聯華電子股分有限公司
• 特開平2-224232
  
• 半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-212360   Applicant：株式会社日立製作所