半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998310980
Publication number (International publication number)：2000138343
Application date： Oct. 30, 1998
Publication date： May. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】モールド工程の削減が図られ、かつ、モールド樹脂の充填性が高められる半導体装置を提供する。【解決手段】パワーチップ用リードフレーム2aが、パワーチップ側リード端子2bとリード段差部2eを介して集積回路チップ用リードフレーム2cと略平行に配置されている。パワーチップ用リードフレーム2aの裏面が、集積回路チップ用リードフレーム2cの裏面よりもモールド樹脂の外面に接近している。

Claim (excerpt)：

電力用チップおよび該電力用チップを制御するための集積回路チップと、前記電力用チップを搭載するための第1フレーム部、前記集積回路チップを搭載するための第2フレーム部および前記第1または第2フレーム部に接続されるリード端子を有するリードフレーム部と、前記リード端子を突出させて、前記電力用チップおよび前記集積回路チップを含む前記リードフレーム部を封止するモールド樹脂と、を備え、前記第1フレーム部は、前記リード端子とリード段差部を介して前記第2フレーム部と略平行に配置され、前記電力用チップが搭載された前記第1フレーム部の面と反対側の面が、前記集積回路チップが搭載された前記第2フレーム部の面と反対側の面よりも前記モールド樹脂の外面に接近している、半導体装置。

IPC (4)：

H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 21/56 , H01L 23/28

FI (3)：

H01L 25/04 C , H01L 21/56 T , H01L 23/28 A

F-Term (10)：

4M109AA01 , 4M109BA01 , 4M109CA21 , 4M109FA02 , 4M109FA04 , 5F061AA01 , 5F061BA01 , 5F061CA21 , 5F061DD12 , 5F061FA05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

半導体パワーモジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-296457 Applicant：三菱電機株式会社
特開平4-298067
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-249627 Applicant：九州日本電気株式会社

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Cited by examiner (11)

マルチチップモジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-111593 Applicant：三菱電機株式会社
半導体パワーモジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-296457 Applicant：三菱電機株式会社
特開平4-298067

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