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J-GLOBAL ID:200903024924103452

位相シフトマスクのシフタ残留欠陥修正方法並びに修正装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999173050
Publication number (International publication number):2001005167
Application date: Jun. 18, 1999
Publication date: Jan. 12, 2001
Summary:
【要約】【課題】位相シフトマスク上のシフタ残留欠陥を短時間で容易に修正する.【解決手段】超短パルス(10ピコ秒〜50フェムト秒)の紫外レーザ光(波長:200〜360nm)光を用いることにより、位相シフトマスクのシフタ残留欠陥およびCr残留欠陥を下の導電膜層、ガラス基板に影響をおよぼさずに修正することが可能である。
Claim (excerpt):
位相シフトマスク上のシフタ残留欠陥を、紫外パルスレーザ光を用いて除去することを特徴とする位相シフトマスクのシフタ残留欠陥修正方法。
IPC (4):
G03F 1/08 ,  G01J 9/02 ,  G01N 21/956 ,  H01L 21/027
FI (6):
G03F 1/08 T ,  G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 S ,  G01J 9/02 ,  G01N 21/956 A ,  H01L 21/30 502 P
F-Term (16):
2G051AA56 ,  2G051AB07 ,  2G051BB09 ,  2G051BB20 ,  2G051CA04 ,  2G051CB02 ,  2G051CC12 ,  2G051DA17 ,  2G051DA20 ,  2G051EA11 ,  2G051EA12 ,  2H095BB03 ,  2H095BD05 ,  2H095BD13 ,  2H095BD20 ,  2H095BD34
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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